technische information / technical information netz-thyristor-modul phase control thyristor module tz 800 n 12...18 n elektrische ei g enschaften / electrical propertie s zieldate n target dat a h?chstzul?ssige werte / maximum rated values periodische vorw?rts- und rckw?rts-spitzensperrspannung t vj = - 40c...t vj max v drm , v rrm 1200, 1400 v repetitive peak forward off-state and reverse voltages 1600, 1800 v vorw?rts-sto?spitzensperrspannung t vj = - 40c...t vj max v dsm 1200, 1400 v non-repetitive peak forward off-state voltage 1600, 1800 v rckw?rts-sto?spitzensperrspannung t vj = + 25c...t vj max v rsm 1300, 1500 v non-repetitive peak reverse voltage 1700, 1900 v durchla?strom-grenzeffektivwert i trmsm 1500 a rms on-state current dauergrenzstrom t c = 85c i tavm 800 a average on-state current t c = 75c 950 a sto?strom-grenzwert t vj = 25c, t p = 10ms i tsm 35000 a surge current t vj = t vj max , t p = 10ms 30000 a grenzlastintegral t vj = 25c, t p = 10ms i2t 6125000 a2s i2t-value t vj = t vj max , t p = 10ms 4500000 a2s kritische stromsteilheit din iec 747-6 (di t /dt) cr 200 a/s critical rate of rise of on-state current f = 50hz, i gm = 1a, di g /dt = 1a/s kritische spannungssteilheit t vj = t vj max , v d = 0,67 v drm (dv d /dt) cr critical rate of rise of off-state voltage 6. kennbuchstabe / 6th letter c 500 v/s 6. kennbuchstabe / 6th letter f 1000 v/s charakteristische werte / characteristic values durchla?spannung t vj = t vj max , i t = 3000a v t max. 1,50 v on-state voltage schleusenspannung t vj = t vj max v (to) 0,85 v threshold voltage ersatzwiderstand t vj = t vj max r t 0,17 m w slope resistance zndstrom t vj = 25c, v d = 6v i gt max. 250 ma gate trigger current zndspannung t vj = 25c, v d = 6v v gt max. 2,0 v gate trigger voltage nicht zndender steuerstrom t vj = t vj max , v d = 6v i gd max. 20 ma gate non-trigger current t vj = t vj max , v d = 0,5 v drm max. 10 ma nicht zndende steuerspannung t vj = t vj max , v d = 0,5 v drm v gd max. 0,2 v gate non-trigger voltage haltestrom t vj = 25c, v d = 6v, r a = 2 w i h max. 500 ma holding current einraststrom t vj = 25c, v d = 6v, r gk 3 10 w i l max. 2500 ma latching current i gm = 1a, di g /dt = 1a/s, t g = 20s vorw?rts- und rckw?rts-sperrstrom t vj = t vj max i d , i r max. 150 ma forward off-state and reverse currents v d = v drm , v r = v rrm mod-ma; r. j?rke 24. aug 98 a111 /98 seite/page 1(4)
technische information / technical information netz-thyristor-modul phase control thyristor module tz 800 n 12...18 n elektrische ei g enschaften / electrical propertie s zieldate n target dat a charakteristische werte / characteristic values zndverzug din iec 747-6 t gd max. 4,0 s gate controlled delay time t vj = 25c, i gm = 1a, di g /dt = 1a/s freiwerdezeit t vj = t vj max , i tm = 800a t q circuit commutated turn-off time v rm = 100v, v dm = 0,67 v drm dv d /dt = 20v/s, -di t /dt = 10a/s 5. kennbuchstabe / 5th letter o typ. 240 s isolations-prfspannung rms, f = 50hz, t = 1min v isol 3,0 kv insulation test voltage rms, f = 50hz, t = 1sec 3,6 kv thermische ei g enschaften / thermal propertie s innerer w?rmewiderstand pro modul / per module r thjc max. 0,042 c/w thermal resistance, junction to case bergangs-w?rmewiderstand pro modul / per module r thck max. 0,020 c/w thermal resistance, case to heatsink h?chstzul?ssige sperrschichttemperatur t vj max 125 c max. junction temperature betriebstemperatur t c op - 40...+125 c operating temperature lagertemperatur t stg - 40...+130 c storage temperature mechanische ei g enschaften / mechanical propertie s geh?use, siehe anlage seite 3 case, see appendix page 3 si-elemente mit druckkontakt, amplifying-gate si-pellets with pressure contact, amplifying-gate innere isolation aln internal insulation anzugsdrehmoment fr mechanische befestigung toleranz / tolerance 15% m1 6 nm mounting torque anzugsdrehmoment fr elektrische anschlsse toleranz / tolerance +5% / -10% m2 18 nm terminal connection torque gewicht g typ. 2750 g weight kriechstrecke 36 mm creepage distance schwingfestigkeit f = 50hz 50 m/s2 vibration resistance mit dieser technischen information werden halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine eigenschaften zugesichert. sie gilt in verbindung mit den zugeh?rigen technischen erl?uterungen. / this technical information specifies semiconductor devices but promises no cha racteristics. it is valid in combination with the belonging technical notes. mod-ma; r. j?rke 24. aug 98 seite/page 2(4)
technische information / technical information netz-thyristor-modul phase control thyristor module tz 800 n 12...18 n mod-ma; r. j?rke 24. aug 98 seite/page 3(4)
technische information / technical information netz-thyristor-modul phase control thyristor module tz 800 n 12...18 n analytische elemente des transienten w?rmewiderstandes z thjc fr dc analytical elements of transient thermal impedance z thjc for dc pos. n 1234567 0,00257 0,00894 0,02193 0,00857 0,0288 1,0347 4,9940 9,9800 mod-ma; r. j?rke 24. aug 98 seite/page 4(4) [] rcw thn / [] t n s analytische funktion z r e thjc thn t n n n : max =- ? ? ? ? ? - = ? 1 1 t
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